SQR-YD4N 强固型DRAM内存 | 研华Advantech
N 69.6 x 35研华SQR-YD4N，强固型 SODIMM 工业级DRAM 内存，数据传输速度：高达 2666 MT/s ，容量：高达 32GB，宽温：0 °C ~ 85 °C，30u" 金手指，可防止振动和冲击所带来的影响，强固型设计适用于军用能源开采机械等关键任务环境。
SQR-YD4N 强固型DRAM内存中文产品特点：
260 针 SODIMM
数据传输速度：高达 2666 MT/s 容量：高达 32GB
30u" 金手指
原装 IC 芯片 (Samsung/Hynix)
宽温：0 °C ~ 85 °C
SQR-YD4N Rugged DRAM memory English product features：
260-pin SODIMM
Data transfer speed: up to 2666 MT/s Capacity: up to 32GB
30u" Gold Finger
Original IC chip (Samsung/Hynix)
Wide temperature: 0 °C ~ 85 °C
SQR-RD4N Product picture：
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